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J-GLOBAL ID：201402225781620991   整理番号：14A0161242

ドメイン体積分率制御した(100)/(001)配向Pb(Zr,Ti)O₃膜の圧電挙動の観察

著者 (5件)： 大島直也 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  及川貴弘 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  内田寛 (上智大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 52nd  ページ： 63  発行年： 2014年01月09日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *圧電材料 ,  MEMS ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *MOCVD ,  優先配向 ,  結晶方位 ,  正方晶系 ,  結晶構造 ,  誘電分極 ,  自発分極 ,  *圧電セラミック ,  圧電定数
準シソーラス用語： *圧電特性 ,  飽和分極

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (10件)： ドメイン ,  体積分率 ,  配向 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  圧電 ,  挙動 ,  観察