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J-GLOBAL ID：201402228534614155   整理番号：14A0371894

積層シリサイド化スパッタプロセスにより作成したNiシリサイドショットキーダイオードの評価

著者 (9件)： 今村浩章 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-PG3-28  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *ケイ化物 ,  *スパッタリング ,  *ニッケル ,  多層膜 ,  薄膜

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリサイド ,  スパッタ ,  プロセス ,  Ni ,  評価