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J-GLOBAL ID：201402231869165135   整理番号：14A1099067

AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタクト抵抗のAlGaN層厚依存性による抵抗成分分析

著者 (12件)： 武井優典 (東京工大) ,  岡本真里 (東京工大) ,  MAN S. (東京工大) ,  萱沼玲 (東京工大) ,  下田智裕 (東京工大) ,  三井陽平 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-A22-6  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  Ohm接触 ,  *接触抵抗 ,  *二次元電子ガス ,  *層厚 ,  モデル ,  オゾン分解 ,  エッチング ,  半導体金属接合 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  2次元電子ガス ,  コンタクト抵抗 ,  層厚 ,  依存性 ,  成分分析