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J-GLOBAL ID：201402232136458817   整理番号：14A1097817

TiC電極,TiSi₂電極とSiC基板のSchottkyダイオード特性評価

著者 (11件)： 鈴木智之 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岡本真里 (東京工大) ,  宗清修 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-A17-13  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： バンドギャップ ,  絶縁耐力 ,  熱伝導率 ,  *炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  界面 ,  特性 ,  ケイ化物 ,  チタン化合物 ,  炭化チタン ,  電極 ,  *電流電圧特性 ,  電流 ,  因子 ,  ケイ化チタン ,  ワイドバンドギャップ ,  金属電極 ,  *炭化ケイ素基板 ,  飽和電流 ,  理想因子
準シソーラス用語： 界面特性

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： TiC ,  SiC基板 ,  Schottkyダイオード ,  特性評価