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J-GLOBAL ID：201402233840013100   整理番号：14A1100730

2次元正孔ガスへのコンタクト形成におけるSiO₂堆積プロセスの影響

著者 (10件)： 久保田俊介 (東京工大) ,  萱沼怜 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19P-PB2-13  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *二次元電子ガス ,  *二酸化ケイ素 ,  *不動態化 ,  焼なまし ,  電流電圧特性 ,  ゲート【半導体】 ,  *二次元正孔ガス ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *改変
準シソーラス用語： *ヘテロ接合FET ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2次元正孔ガス ,  コンタクト ,  SiO2 ,  堆積 ,  プロセス