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J-GLOBAL ID：201402234654142281   整理番号：14A0370595

La₂O₃ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaNデバイスのプロセス依存性

著者 (10件)： CHEN J. (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-PG3-9  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *酸化膜 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *酸化ランタン ,  *アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  ゲート回路 ,  半導体プロセス ,  *ゲート絶縁膜 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： AlGaN

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： La2O3 ,  ゲート絶縁膜 ,  AlGaN ,  GaN ,  デバイス ,  プロセス ,  依存性