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J-GLOBAL ID：201402240545984639   整理番号：14A0371798

薄膜SOI太陽電池の発電特性への基板バイアス効果

著者 (10件)： 堀隼人 (東京工大 工) ,  伊藤勇磨 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-PA3-7  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *表面電位 ,  *バンド構造 ,  *半導体薄膜 ,  電圧変動 ,  バイアス ,  *電流電圧特性 ,  短絡電流 ,  *SOI構造 ,  *太陽電池 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧依存性 ,  放射強度 ,  ナノワイヤ ,  不動態化 ,  バンド曲がり ,  基板バイアス効果 ,  光強度 ,  表面不動態化 ,  改変
準シソーラス用語： バックゲート

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  SOI ,  太陽電池 ,  発電特性 ,  基板バイアス効果