文献

J-GLOBAL ID：201402241020700520   整理番号：14A0370763

広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET

著者 (9件)： 米澤宏昭 (東京工大) ,  萱沼怜 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19A-D8-10  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ヘテロ接合 ,  チャネル ,  P型半導体 ,  *アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  温度依存性 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  化合物半導体 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  *HFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 温度範囲 ,  AlGaN ,  GaN ,  チャネル ,  HFET