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J-GLOBAL ID：201402249076820724   整理番号：14A1015977

GaN:Eu結晶薄膜におけるEu³⁺発光に対する励起子解離効果

著者 (5件)： 中村聡志 (大阪市大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  小泉淳 (大阪大 大学院) ,  藤原康文 (大阪大 大学院) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 69  号： 2 第4分冊  ページ： 548  発行年： 2014年08月22日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ユウロピウム ,  ドーピング ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *発光スペクトル ,  *励起子 ,  励起スペクトル ,  光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Eu ,  結晶 ,  薄膜 ,  励起子 ,  解離