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J-GLOBAL ID：201402255411765300   整理番号：14A1097754

PLD法によるSr₂SiO₄多結晶体ターゲットを用いたSr₂SiO₄薄膜のSi基板上への作製

著者 (12件)： 今西啓司 (兵庫県大) ,  谷脇将太 (兵庫県大) ,  堀田育志 (兵庫県大) ,  堀田育志 (JST-CREST) ,  吉田晴彦 (兵庫県大) ,  吉田晴彦 (JST-CREST) ,  新船幸二 (兵庫県大) ,  新船幸二 (JST-CREST) ,  小椋厚志 (明治大) ,  小椋厚志 (JST-CREST) ,  佐藤真一 (兵庫県大) ,  佐藤真一 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-A11-11  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,  多結晶 ,  *ケイ酸ストロンチウム ,  絶縁膜 ,  薄膜成長 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD法 ,  Sr2SiO4 ,  多結晶体 ,  ターゲット ,  薄膜 ,  Si基板 ,  作製