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J-GLOBAL ID：201402256023720414   整理番号：14A0370601

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタへの凹凸AlGaN層導入による低抵抗コンタクト形成の可能性

著者 (8件)： 神谷真行 (東京工大) ,  武井優典 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-PG3-15  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  粗面 ,  電気抵抗 ,  Ohm接触 ,  パターン形成 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  凹凸表面

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  凹凸 ,  低抵抗 ,  コンタクト ,  可能性