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J-GLOBAL ID：201402256759234231   整理番号：14A0370600

TiB₂電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化

著者 (12件)： 岡本真里 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  松川佳弘 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  大橋弘通 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-PG3-14  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電極 ,  *Ohm接触 ,  *チタン化合物 ,  ホウ化物 ,  熱処理 ,  *アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *ホウ化チタン ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (5件)： TiB2 ,  熱処理 ,  AlGaN ,  GaN ,  コンタクト