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J-GLOBAL ID：201402258058310114   整理番号：14A1101091

InGaN量子井戸構造における非輻射再結合寿命と内部量子効率の励起エネルギー密度依存性

著者 (5件)： 室谷英彰 (豊田工高専) ,  杉浦藤虎 (豊田工高専) ,  山田陽一 (山口大 大学院) ,  本田善央 (名古屋大 大学院) ,  天野浩 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.20A-C5-12  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  再結合 ,  *寿命 ,  *量子効率 ,  エネルギー依存性 ,  *多重量子井戸 ,  *光ルミネセンス ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  励起エネルギー ,  エネルギー密度 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  *内部量子効率 ,  *非輻射再結合

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  量子井戸 ,  非輻射再結合 ,  寿命 ,  内部量子効率 ,  励起エネルギー ,  密度依存性