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J-GLOBAL ID：201402262129373241   整理番号：14A0371309

AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN層厚依存性

著者 (11件)： 武井優典 (東京工大) ,  岡本真里 (東京工大) ,  MAN S. (東京工大) ,  萱沼玲 (東京工大) ,  神谷真行 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-D8-8  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *二次元電子ガス ,  *窒化ガリウム ,  *接触抵抗 ,  電極材料 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *アルミニウム化合物 ,  膜厚依存性 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN

分類 (3件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  2次元電子ガス ,  コンタクト ,  電極材料 ,  層厚 ,  依存性