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J-GLOBAL ID：201402263625601633   整理番号：14A1099073

デバイスシミュレーションによるGaN系ジャンクションレス・トランジスタにおける閾値電圧特性の検証

著者 (12件)： YOON Minjae (東京工大) ,  中島昭 (産業総合技術研) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  西澤伸一 (産業総合技術研) ,  大橋弘通 (産業総合技術研) ,  杉井信之 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-A22-12  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  *計算機シミュレーション ,  *アルミニウム化合物 ,  *電圧変動 ,  *閾値 ,  キャリア移動度 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  不純物濃度 ,  界面 ,  空間電荷 ,  分極 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： *ジャンクションレストランジスタ ,  デバイスシミュレーション ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  *閾値電圧シフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： デバイスシミュレーション ,  GaN ,  閾値 ,  電圧特性 ,  検証