伝導帯内部の界面トラップによるFermiレベルピニングがIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Asメタル-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの反転層移動度に与える影響

TAOKA Noriyuki; TAOKA Noriyuki; YOKOYAMA Masafumi; KIM Sang Hyeon; SUZUKI Rena; LEE Sunghoon; IIDA Ryo; HOSHII Takuya; JEVASUWAN Wipakorn; MAEDA Tatsuro; YASUDA Tetsuji; ICHIKAWA Osamu; FUKUHARA Noboru; HATA Masahiko; TAKENAKA Mitsuru; TAGAKI Shinichi

文献

J-GLOBAL ID：201402268151948272 整理番号：14A0079518

伝導帯内部の界面トラップによるFermiレベルピニングがIn_xGa_1-xAsメタル-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの反転層移動度に与える影響

Impact of Fermi Level Pinning Due to Interface Traps Inside the Conduction Band on the Inversion-Layer Mobility in In_xGa_1-xAs Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=14A0079518&COPY=1") }}
このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ） {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=14A0079518&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1320A") }}

著者 (16件)： , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 13 号： 4 ページ： 456-462 発行年： 2013年12月
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

伝導帯(CB)内部界面トラップを,界面構造を変えて分割C-V法とHall測定によって定量的に評価した。測定によると,多数の界面トラップがInGaAsのCB内に分布し,それがFermiレベルピニング(FLP)を生じ,さらにFLPのエネルギーレベルは界面構造を変えることによって調節可能なことが分かった。CB内のFLPは実効移動度を大きく下げることも明らかになった。CB内界面トラップのエネルギー分布はインジウム濃度に依存することが判明し,インジウム量でFLPのエネルギーレベルが変えられることが分かった。FLPエネルギーレベル測定値は絶縁体とGaAsまたはInAs界面にあるAs-As状態の理論値に一致し,この一致はCB内界面トラップが界面に形成されるAs-Asダイマーに起因する可能性を支持するものである。

, , , , , , , , , , , ,
, , , ,

トランジスタ

, , , , , , ,

前のページに戻る

伝導帯内部の界面トラップによるFermiレベルピニングがInxGa1-xAsメタル-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの反転層移動度に与える影響

伝導帯内部の界面トラップによるFermiレベルピニングがIn_xGa_1-xAsメタル-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの反転層移動度に与える影響