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J-GLOBAL ID：201402268904582179   整理番号：14A0372261

InGaN/GaN多重量子井戸構造における輻射および非輻射再結合寿命の励起エネルギー密度依存性

著者 (5件)： 室谷英彰 (豊田工高専) ,  杉浦藤虎 (豊田工高専) ,  山田陽一 (山口大 大学院) ,  本田善央 (名古屋大 大学院) ,  天野浩 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.20P-E13-2  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *多重量子井戸 ,  放射 ,  放射寿命 ,  *励起エネルギー ,  エネルギー密度 ,  密度依存性 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *可視発光スペクトル ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN ,  非輻射再結合

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  輻射 ,  非輻射再結合 ,  寿命 ,  励起エネルギー ,  密度依存性