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J-GLOBAL ID：201402271014828180   整理番号：14A0370599

高電圧ストレスによるAlGaN/GaNの界面とバルクトラップの測定に関する研究

著者 (10件)： TAN X.H. (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-PG3-13  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *捕獲中心 ,  *アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  窒化ガリウム ,  界面 ,  高電圧 ,  パルス波 ,  容量電圧特性 ,  ゲート【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電圧ストレス ,  AlGaN ,  GaN ,  界面 ,  バルク ,  トラップ ,  研究