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J-GLOBAL ID：201402273709712410   整理番号：14A0371882

Pを導入したNiSi₂/n-Geコンタクトの電気特性と不純物拡散の様子

著者 (10件)： 吉原亮 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  元木雅章 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-PG3-16  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ゲルマニウム ,  *接触抵抗 ,  電気特性 ,  *不純物拡散 ,  リン ,  ニッケル ,  ケイ素 ,  N型半導体 ,  半導体薄膜

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  コンタクト ,  電気特性 ,  不純物拡散