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J-GLOBAL ID：201402274986762366   整理番号：14A1098982

ATR-FTIR法を用いたSiC基板上La₂O₃とSiNとの界面反応の解析

著者 (14件)： LEI Y.M. (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  宗清修 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  山川聡 (三菱電機) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  古橋壮之 (三菱電機) ,  三浦成久 (三菱電機) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-A17-1  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 表面準位 ,  状態密度 ,  キャリア移動度 ,  炭化ケイ素 ,  境界層 ,  *酸化ランタン ,  *窒化ケイ素 ,  *不均一系反応 ,  MOSFET ,  ATR分光法 ,  FTIR分光法 ,  熱処理 ,  プラズマCVD ,  電子ビーム蒸着 ,  チャネル移動度 ,  界面状態密度 ,  界面層 ,  *界面反応 ,  層
準シソーラス用語： ATR-FTIR分光法

分類 (1件)： その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (6件)： ATR-FTIR法 ,  SiC基板 ,  La2O3 ,  SiN ,  界面反応 ,  解析