文献

J-GLOBAL ID：201402277024299604   整理番号：14A0371305

コンダクタンス法によるAlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップに関する研究

著者 (10件)： LIU P. (東京工大) ,  DOU C. (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-D8-4  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  *キャリア捕獲 ,  *コンダクタンス ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  ゲート【半導体】 ,  *アルミニウム化合物 ,  界面トラップ ,  接合界面 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： コンダクタンス ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合界面 ,  トラップ ,  研究