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J-GLOBAL ID：201402277202289227   整理番号：14A0672384

PECST:光電子融合技術がもたらすLSI新革命 つくばクリーンルームにおける光電子集積プロセス開発

著者 (1件)： 堀川剛 (産業技術総合研)
資料名： Optronics  (Optronics)
号： 390  ページ： 69-73  発行年： 2014年06月10日 
JST資料番号： Y0019A  ISSN： 0286-9659  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発(PECST)では,シリコンフォトニクスをベースとする広帯域の光情報通信技術をCMOS集積技術と融合させた光インターポーザの実現により,情報処理や通信トラフィックの急激な増加に伴って顕在化しつつあるLSI間の通信帯域ボトルネックのブレイクスルーを図ろうとしてきた。本文では,シリコンフォトニクス特有のプロセス要素である導波路および高段差プロセスの開発成果を中心に,産総研つくばスーパークリーンルームにおけるPECSTのLSI間光インターコネクションに向けた光電子集積プロセス開発についてまとめた。今回の研究は,主に産総研つくば西事業所内にあるスーパークリーンルームの微細CMOS研究ラインにおいて行われた。均一性の高いSOIウエハを基板として用い,高精度の電子ビーム露光技術を用いた微細加工プロセスの開発により,高精度導波路形成技術の構築を図った。また,先端露光技術である,液浸ArF露光の適用により,線幅精度が一層改善し,合分波器のクロストークが大幅に改善できた。

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  *OEIC ,  クリーンルーム ,  相互接続 ,  *プロセス開発 ,  光集積回路 ,  電子ビームリソグラフィー ,  フォトリソグラフィー ,  シリコンフォトニクス
準シソーラス用語： 液浸リソグラフィー ,  光インターコネクション ,  光電子集積回路 ,  電子ビーム露光

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光電子 ,  融合 ,  LSI ,  つくば ,  クリーンルーム ,  集積 ,  プロセス ,  開発