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J-GLOBAL ID：201402287119896109   整理番号：14A0371895

Mg/Si極薄膜積層の熱処理を用いて作製したMg₂Siの赤外線吸収特性評価

著者 (11件)： 長谷川明紀 (東京工大) ,  WU Y. (東京工大) ,  SONG J. (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-PG3-29  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *光吸収 ,  *超薄膜 ,  *熱処理 ,  マグネシウム ,  ケイ素 ,  スパッタリング ,  *赤外吸収
準シソーラス用語： トンネルFET ,  トンネル抵抗 ,  *赤外線吸収

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (7件)： Mg ,  Si ,  極薄膜 ,  熱処理 ,  作製 ,  赤外線吸収 ,  特性評価