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J-GLOBAL ID：201402291154641420   整理番号：14A1098398

SiN_xおよびSiO₂保護膜のAlGaN/GaN膜中への影響

著者 (12件)： 宮脇彬 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岡本真里 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  大橋弘通 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18A-A22-11  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  *保護膜 ,  *容量電圧特性 ,  ヒステリシス ,  *二次元電子ガス ,  エピタクシー ,  不動態化 ,  プラズマCVD ,  *プラズマ曝露 ,  酸素 ,  窒素 ,  欠陥準位 ,  電力トランジスタ ,  *接合形FET ,  *Schottky障壁 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  窒化チタン ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  改変
準シソーラス用語： *Schottkyゲート電界効果トランジスタ ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  保護膜 ,  AlGaN ,  GaN