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J-GLOBAL ID：201402292064562579   整理番号：14A1100476

SiN膜で保護したβ-FeSi₂膜の熱処理後の残留酸素の評価

著者 (10件)： 嘉藤貴史 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  若林整 (東京工大) ,  佐々木亮人 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19P-A27-16  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *ケイ化物 ,  *鉄化合物 ,  半導体薄膜 ,  *熱処理 ,  *酸素 ,  太陽電池 ,  RTA【熱処理】 ,  X線光電子分光法 ,  プラズマCVD ,  保護膜 ,  *ケイ化鉄 ,  薄膜太陽電池
準シソーラス用語： 残留酸素

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiN膜 ,  熱処理 ,  残留 ,  酸素 ,  評価