文献

J-GLOBAL ID：201402295073130443   整理番号：14A0368838

Siナノワイヤー曲面における保護膜界面準位密度の研究

著者 (9件)： 小路智也 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.17A-PA4-18  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  表面準位 ,  保護膜 ,  *状態密度 ,  *太陽電池 ,  二酸化ケイ素 ,  曲面 ,  *界面状態密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ナノワイヤー ,  曲面 ,  保護膜 ,  界面準位密度 ,  研究