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J-GLOBAL ID：201402296170609253   整理番号：14A0371859

Si(110),(111)基盤上で熱処理による界面反応で形成したLa-silicateゲート絶縁膜の物理的理解に関する研究

著者 (9件)： 関拓也 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-PG2-5  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *MOSFET ,  ケイ酸塩 ,  ランタン化合物 ,  熱処理 ,  不均一系反応 ,  界面 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  結晶方位 ,  物理的性質 ,  *ゲート絶縁膜 ,  界面反応 ,  シリコンウエハ ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  基盤 ,  熱処理 ,  界面反応 ,  La ,  ゲート絶縁膜 ,  物理 ,  理解 ,  研究