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J-GLOBAL ID：201402296520203778   整理番号：14A0371938

ATR-FTIR法を用いた熱処理によるLa₂O₃/SiC界面反応の解析

著者 (14件)： LEI Y.M. (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  宗清修 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  古橋壮之 (三菱電機) ,  三浦成久 (三菱電機) ,  山川聡 (三菱電機)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.20A-D8-7  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *酸化ランタン ,  界面 ,  *熱処理 ,  *FTIR分光法 ,  *ATR分光法 ,  解析 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *不均一系反応 ,  *界面反応
準シソーラス用語： ATR-FTIR法

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  分光法と分光計一般  (BD07041Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ATR-FTIR法 ,  熱処理 ,  La2O3 ,  SiC ,  界面反応 ,  解析