文献

J-GLOBAL ID：201402297654884166   整理番号：14A0370071

La₂O₃/InGaAs界面ラフネスに及ぼすALDプロセスの影響

著者 (10件)： 大嶺洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  ZADEH D.H. (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大 大学院) ,  西山彰 (東京工大 大学院) ,  杉井信之 (東京工大 大学院) ,  片岡好則 (東京工大 大学院) ,  若林整 (東京工大 大学院) ,  筒井一生 (東京工大 大学院) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-D8-12  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *表面粗さ ,  *化学蒸着 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  酸化ランタン ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  容量電圧特性 ,  電子顕微鏡観察 ,  *薄膜コンデンサ
準シソーラス用語： *MOSコンデンサ ,  *原子層堆積

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： La2O3 ,  InGaAs ,  面ラフネス ,  ALD ,  プロセス