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J-GLOBAL ID：201402298345622048   整理番号：14A1101211

n⁺およびp⁺-Si上に形成したCeO_x/SiO₂膜の抵抗変化特性

著者 (10件)： 杉浦みのり (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  HADI Mokhammad S. (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.20P-A10-3  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *酸化セリウム ,  *二酸化ケイ素 ,  薄膜成長 ,  *電流電圧特性 ,  *ウエハ【IC】 ,  仕事関数 ,  ケイ素 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  電子ビーム蒸着 ,  *MIS構造 ,  不揮発性メモリ ,  *シリコンウエハ ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *抵抗変化型メモリ

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  SiO2 ,  抵抗変化