ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法並びにそれにより得られるナノギャップ長を有する電極構造及びナノデバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：平山一幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012055002
公開番号（公開出願番号）：WO2012-121067
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

金属層2A,2Bが対にギャップを有して配置されている基板1を、金属イオンを含む電解液に還元剤及び界面活性剤を混合した無電解メッキ液に浸漬する。還元剤により金属イオンが還元されて金属が金属層2A,2Bに析出しつつ界面活性剤が金属の表面に付着してギャップの長さをナノメートルサイズに制御した電極4A、4Bの対を形成する。これにより、ギャップ長のバラツキを制御可能なナノギャップ長を有する電極構造の作製方法とこの作製方法を用いてギャップ長のバラツキを抑えたナノギャップ長を有する電極構造及びそれを備えたナノデバイスを提供する。

請求項（抜粋）：

金属層がギャップを有して対で配置されている基板を、金属イオンを含む電解液に還元剤及び界面活性剤が混入されてなる無電界メッキ液に浸漬することにより、上記還元剤により金属イオンが還元されて金属が上記金属層に析出しつつ上記界面活性剤が該金属の表面に付着してギャップの長さをナノメートルサイズに制御した電極対を形成する、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/288 , H01L 29/786 , H01L 29/66 , H01L 29/06 , B82Y 40/00 , B82Y 30/00

FI (6件)：

H01L21/288 E , H01L29/78 622 , H01L29/66 S , H01L29/06 601N , B82Y40/00 , B82Y30/00

Fターム (26件)：

4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104DD47 , 4M104DD53 , 4M104DD62 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 5F110AA04 , 5F110BB13 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

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