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J-GLOBAL ID：201502207283175506   整理番号：15A0764502

p型およびn型導電性高分子混合膜の配向構造評価

著者 (5件)： 大野慶太 (名大 院) ,  水野佑 (名大 院) ,  原光生 (名大 院) ,  永野修作 (名大 VBL) ,  関隆広 (名大 院)
資料名： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
巻： 64  号： 1  ページ： ROMBUNNO.2PD034  発行年： 2015年05月12日 
JST資料番号： Z0703C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *導電性高分子 ,  *P型半導体 ,  *N型半導体 ,  *分子配向 ,  制御 ,  小角X線散乱 ,  スピンコーティング ,  ポリヘキシルチオフェン ,  ポリヘテロアリーレン ,  多層膜 ,  *ポリマブレンド ,  高分子薄膜 ,  *構造 ,  *配向 ,  薄膜成長 ,  単分子膜 ,  配向制御 ,  LBL成長 ,  斜入射小角X線散乱
準シソーラス用語： GISAXS ,  *配向構造

分類 (2件)： その他の高分子材料  (YH07150C) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 導電性高分子 ,  混合膜 ,  評価