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J-GLOBAL ID：201502207293117377   整理番号：15A1046375

Mg₃N₂を挿入したTiNゲートGaNショットキーダイオード特性評価

著者 (5件)： 池内勇太 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15A-4C-3  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  アノード ,  *マグネシウム化合物 ,  *電気特性 ,  漏れ電流 ,  *窒化チタン ,  *窒化マグネシウム ,  *電流密度-電圧特性
準シソーラス用語： *Schottkyダイオード

分類 (5件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： TiN ,  ゲート ,  GaN ,  ショットキーダイオード ,  特性評価