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J-GLOBAL ID：201502208098900313   整理番号：15A0290459

材料への微細空孔生成による低損失化の電磁界シミュレーション

著者 (4件)： 矢尾裕樹 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  平野拓一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  広川二郎 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  安藤真 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
巻： J97-C  号： 12  ページ： 535-541 (WEB ONLY)  発行年： 2014年12月01日 
JST資料番号： U0472A  ISSN： 1881-0217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,損失の大きな基板材料に多数の微細空孔を周期的にあけた場合の低損失化の電磁界解析シミュレーションを行い,比誘電率の減少及び損失の低減効果と空孔の体積率との関係を調べた。比誘電率1~100,誘電正接0.1~0.001の材料に対して球及び立方体の空孔をあけた場合の解析を行った。微細空孔の周期が1/10波長程度以下ならば,空孔の形状に依らず,空孔の体積率のみで実効材料定数が決まることがわかった。空孔の体積率が大きくなると実効比誘電率は低下し,実効導電率も低下して損失も減ることが確認できた。立方体空孔に対する近似等価回路モデルにより,実効比誘電率及び実効導電率が高精度に計算できることを示した。実モデルと実効材料定数を用いた均質モデルの散乱係数の周波数特性を比較し,良好な一致を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *数値解析 ,  計算機シミュレーション ,  電磁場解析 ,  材料 ,  *プリント基板 ,  *誘電率 ,  誘電正接 ,  穴あけ ,  モデル ,  等価回路 ,  損失 ,  *電磁界数値解析 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： 基板材料 ,  低損失 ,  *電磁界シミュレーション ,  等価回路モデル ,  比誘電率

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

引用文献 (5件)：

• 中野悠介,山本伸一,広川二郎,安藤 真,"ポスト壁導波路における小孔による誘電率および伝送損失低減の実験的評価,"2004信学総大,C-2-122, March 2004.
• 矢尾裕樹,平野拓一,李 寧,岡田健一,松澤 昭,広川二郎,安藤 真,井上 剛,正岡章賀,坂根 仁,"Heイオン照射によるシリコン基板高抵抗化の電磁界シミュレーションの基礎検討,"信学技報,EST2013-110, Jan.2014.
• Y. Ono, T. Hirano, K. Okada, J. Hirokawa, and M. Ando, "Eigenmode analysis of propagation constant for a microstrip line with dummy fills on a Si CMOS substrate," IEICE Trans. Electron., vol.E94-C, no.6, pp.1008-1015, June 2011.
• H.P. Hsu, "On the general relation between α and Q (correspondence)," IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.MTT-11, no.4, p.258, July 1963.
• T. Hirano, K. Okada, J. Hirokawa, and M. Ando, "Electromagnetic simulation modeling of silicon substrate for 60 GHz on-chip differential-feed dipole antenna," Applied Physics Letters (APL), vol.103, no.12, pp.122101-1-122101-4, Sept. 2013.

タイトルに関連する用語 (4件)： 微細 ,  空孔 ,  低損失 ,  電磁界シミュレーション