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J-GLOBAL ID：201502208530898678   整理番号：15A0507198

AlGaN/GaN HEMT構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

著者 (11件)： 馬場俊之 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  永久雄一 (東京工大) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-A21-7  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *捕獲 ,  エピタクシー ,  素子構造 ,  化合物半導体 ,  *電子トラップ ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  電子トラップ ,  解析