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J-GLOBAL ID：201502208532063590   整理番号：15A1046374

AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性

著者 (7件)： 下田智裕 (東京工大) ,  武井優典 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15A-4C-2  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *Ohm接触 ,  *接触抵抗 ,  *粗面 ,  依存性 ,  サイズ依存性 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  *凹凸表面

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  凹凸 ,  コンタクト抵抗 ,  低減効果 ,  凹凸構造 ,  サイズ依存性