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J-GLOBAL ID：201502208671154788   整理番号：15A0506982

酸化剤を変えたALD-Al₂O₃膜のMOSキャパシタ特性評価

著者 (10件)： 福井僚 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  中村嘉基 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-P12-4  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミナ ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  *酸化剤 ,  水 ,  プラズマ ,  酸素 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  薄膜コンデンサ ,  タングステン ,  *電荷 ,  界面 ,  *双極子 ,  *容量電圧特性 ,  *固定電荷 ,  高k誘電体 ,  酸素プラズマ
準シソーラス用語： MOSキャパシタ ,  *原子層堆積

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化剤 ,  ALD ,  Al2O3 ,  MOSキャパシタ ,  特性評価