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J-GLOBAL ID：201502217808278412   整理番号：15A1044312

TDMASを用いたプラズマALD-SiO₂への窒素添加による電気特性への効果

著者 (6件)： 遠藤広大 (東京工大) ,  LEI Y. M. (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13A-4C-2  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *化学蒸着 ,  窒素 ,  薄膜成長 ,  *容量電圧特性 ,  プラズマ ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *原子層堆積

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  ALD ,  SiO2 ,  窒素添加 ,  電気特性