文献

J-GLOBAL ID：201502219875145470   整理番号：15A0507873

Mg/Si薄膜積層構造により作製したMg₂Si層の物性評価

著者 (9件)： 長谷川明紀 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.13A-A25-3  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *薄膜 ,  *積層構造 ,  FET【トランジスタ】 ,  熱処理 ,  バンドギャップ ,  X線回折 ,  FTIR分光法 ,  化合物半導体 ,  *ケイ化マグネシウム
準シソーラス用語： トンネルFET ,  *マグネシウム・シリサイド

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mg ,  Si薄膜 ,  積層構造 ,  作製 ,  物性評価