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J-GLOBAL ID：201502220033254007   整理番号：15A0506582

AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

著者 (8件)： 武井優典 (東京工大) ,  下田智裕 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-A21-12  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *二次元電子ガス ,  Ohm接触 ,  *接触抵抗 ,  *粗面 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  表面粗さ ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  ケイ化物 ,  積層構造 ,  窒化チタン ,  ケイ化チタン ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *凹凸表面 ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  凹凸 ,  コンタクト抵抗