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J-GLOBAL ID：201502221446116318   整理番号：15A0507196

AlGaN/GaN系PチャネルHFETのMOS構造によるノーマリーオフ化

著者 (10件)： 久保田俊介 (東京工大) ,  萱沼怜 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-A21-5  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *オンオフ制御 ,  *MOS構造 ,  化合物半導体 ,  短絡【電気】 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  HFET ,  pチャネルMOSFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  チャネル ,  HFET ,  MOS構造 ,  ノーマリーオフ