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J-GLOBAL ID:201502250705030974   整理番号:15A0289548

フォトニックワイヤボンディングによるSi基板上III-Vチップ間の光伝搬

Optical Transmission between III-V Chips on Si by Using Photonic Wire Bonding
著者 (15件):
資料名:
巻: 114  号: 378(LQE2014 126-138)  ページ: 21-26  発行年: 2014年12月11日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本稿ではフレキシブルなチップ間光伝送実現に向け,紫外線硬化樹脂を用いた三次元光配線法であるフォトニックワイヤボンディング(PWB)の高効率接続のための形状設計と作製技術の検討を行った。まず,SU8を用いるフェムト秒レーザの二光子吸収によるフォトニックワイヤボンディングの作製条件を明らかにすると共に,結合損失を理論解析から明らかにした。次に,このフォトニックワイヤボンディングを用いてSi基板上にフリップチップ貼り付けしたレーザチップおよび光検出器チップ間の光接続を行い,150μm間隔のチップ間光伝送を実現した。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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光集積回路,集積光学  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (26件):
  • K. W. Ang et al., “Enhanced performance in 50 nm N-MOSFETs with silicon-carbon source/drain regions,“ IEDM Tech. Dig., pp. 1069-1071, Dec. 2004.
  • B. H. Lee et al., “Ultrathin Hafnium oxide with low leakage and excellent reliability for alternative gate dielectric application,“ IEDM Tech. Dig., pp. 133-136, Dec. 1999.
  • C. Auth et al., “A 22nm High Performance and Low-Power CMOS Technology Featuring Fully-Depleted Tri-Gate Transistors,“ Symp. VLSI Tech., pp. 131-132, June 2011.
  • M. Kada et al., “Development of functionally innovative 3D-integrated circuit (dream chip) technology/high- density 3D-integration technology for multifunctional devices,“ IEEE International Conference on 3D System Integration, pp. 1-6, Sep. 2009.
  • A. Fazzi, et al., “3-D capacitive interconnections with monoand bi-directional capabilities,“ IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 43, No. 1, pp. 275-284, Jan. 2008.
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タイトルに関連する用語 (2件):
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