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J-GLOBAL ID：201502256980197593   整理番号：15A0506572

金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMTのリーク電流への影響

著者 (10件)： 大賀一樹 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-A21-2  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  *漏れ電流 ,  *ゲート【半導体】 ,  電極材料 ,  チタン化合物 ,  *窒化ガリウム ,  接合形FET ,  アルミニウム ,  タングステン ,  ニッケル ,  窒化チタン ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： Schottkyゲート電界効果トランジスタ ,  *金属ゲート ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金属ゲート ,  電極材料 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  リーク電流