抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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近年,シリコン(Si)CMOS技術の微細化によるFET動作周波数の向上に伴って,低コスト化が期待されるCMOSチップを用いたミリ波帯RF回路の研究・開発が進んでいる。CMOSチップ内にある金属細線は波長に比して細いが,密度が高いので特性に与える影響は無視できない。本報告では,金属細線の影響を考慮するために,CMOSチップ内の金属細線の単位セル(周期構造の1周期)の固有値解析を行って実効媒質定数の計算を行う。例として,SiO
2に埋め込まれた金属細線の解析を行った。細線は異方性を有しており,軸方向は金属と同等,軸と垂直な方向はSiO
2よりも高い実効誘電率になることがわかった。実効媒質定数の計算の確認のために,平行平板内に100個の金属細線およびその実効媒質を挿入したモデルのSパラメータの計算結果を比較し,両者はよく一致していることを確認した。(著者抄録)