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J-GLOBAL ID：201502266015537824   整理番号：15A0507300

スパッタ堆積MoS₂膜の下地平坦化による電気特性向上

著者 (15件)： 大橋匠 (東京工大) ,  山口晋平 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  須田耕平 (明治大) ,  石原聖也 (明治大) ,  澤本直美 (明治大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-A29-10  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *スパッタ蒸着 ,  *半導体薄膜 ,  *下地 ,  *電気特性 ,  薄膜トランジスタ ,  剥離 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 平坦化

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ堆積 ,  MoS2 ,  下地 ,  平坦化 ,  電気特性