特許
J-GLOBAL ID：201503007649118262
パターン基材およびその製造方法ならびにパターン形成用基材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
北原 宏修
, 多田 裕司
, 山内 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-039966
公開番号（公開出願番号）：特開2015-164978
出願日： 2014年02月28日
公開日（公表日）： 2015年09月17日
要約：
【課題】本発明の課題は、上述の事情に鑑み、光応答性高分子を利用した新たな微細パターン形成技術につき実用化やさらなる応用展開を図ることである。【解決手段】本発明に係るパターン基材の製造方法は、準備工程および光照射工程を備える。準備工程では、基材が準備される。なお、この基材は、粒子含有高分子材料から形成される。粒子含有高分子材料は、光照射により体積変化する高分子材料と、高分子材料に分散される粒子とを含有する。光照射工程では、基材に対して光を照射して、第1体積変化領域、第2体積変化領域および未体積変化領域のうちの少なくとも2種の領域のパターンが形成される。なお、ここで、第2体積変化領域は、第1体積変化領域における体積変化度と異なる体積変化度を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光照射により体積変化する高分子材料と、前記高分子材料に分散される粒子とを含有する粒子含有高分子材料から形成される基材を準備する準備工程と、
前記基材に対して光を照射して(a)第1体積変化領域、(b)前記第1体積変化領域における体積変化度と異なる体積変化度を有する第2体積変化領域および(c)未体積変化領域のうちの少なくとも2種の領域のパターンを形成する光照射工程と
を備える、パターン基材の製造方法。
IPC (3件)：
C08J 7/00
, C08L 101/02
, C08K 3/00
C08J7/00 302
, C08J7/00
, C08L101/02
, C08K3/00
4F073AA05
, 4F073AA32
, 4F073BA33
, 4F073BA49
, 4F073BA52
, 4F073BB01
, 4F073CA45
, 4J002AA031
, 4J002AA071
, 4J002CP031
, 4J002DA076
, 4J002DC006
, 4J002FD206
, 4J002GS00
