特許

J-GLOBAL ID：201503078752841103

Ga2O3系HEMT

発明者： 佐々木 公平 ,  東脇 正高 ,  藤田 静雄 ,  大友 明 ,  大島 孝仁
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  独立行政法人情報通信研究機構 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012072896
公開番号（公開出願番号）：WO2013-035841
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：

高品質のGa2O3系半導体素子であるGa2O3系HEMTを提供する。 i型β-Ga2O3単結晶膜3と、i型β-Ga2O3単結晶膜3上に形成された、IV族元素を含むβ-(AlxGa1-x)2O3(0<x≦0.6)結晶からなるn型β-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜4と、n型β-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜4上に形成されたソース電極22及びドレイン電極23と、ソース電極22とドレイン電極23との間のn型β-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜4上に形成されたゲート電極21と、を含むGa2O3系HEMT20を提供する。

請求項（抜粋）：

i型β-Ga2O3単結晶膜と、 前記i型β-Ga2O3単結晶膜上に形成された、IV族元素を含むβ-(AlxGa1-x)2O3(0<x≦0.6)結晶からなるn型β-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜と、 前記n型β-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記n型β-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜上に形成されたゲート電極と、 を含むGa2O3系HEMT。

IPC (7件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/08 ,  H01L 29/24

FI (5件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/365 ,  H01L21/363 ,  C23C14/08 K ,  H01L29/24

Fターム (40件)：

4K029AA04 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB10 ,  4K029DB18 ,  5F045AB40 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045HA15 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GL20 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB05 ,  5F103BB08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL09 ,  5F103PP04