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J-GLOBAL ID：201602202756038302   整理番号：16A0001906

H⁺_-照射されたFeSe単結晶における臨界電流密度の増進および渦のピン止めのメカニズム

Enhancement of critical current density and mechanism of vortex pinning in H⁺-irradiated FeSe single crystal

著者 (9件)： SUN Yue (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  PYON Sunseng (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAMEGAI Tsuyoshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Ryo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  WATASHIGE Tatsuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KASAHARA Shigeru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUDA Yuji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SHIBAUCHI Takasada (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KITAMURA Hisashi (National Inst. of Radiological Sci., Chiba, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 11  ページ： 113102.1-113102.4  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FeSe単結晶における臨界電流密度J_c及び渦のピンニングに対するH⁺照射効果の包括的な調査について報告する。FeSeのJ_cは3MeVのH⁺照射の後,2倍以上増加し,ポイントピンニングセンタの導入によって説明できた。渦クリープ速度は照射の後に強く抑制されることがわかった。集合体のクリープ理論及び拡張されたMaleyの方法に基づいた詳細な解析により,H⁺照射がフラックスのクリープ前のJ_cを増加させ,フラックスの束の大きさを減少させた。この結果,渦の動きによりJ_cの地場依存性が抑制される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *陽子照射 ,  *硫化鉄 ,  単結晶 ,  *臨界電流密度 ,  *渦 ,  *磁束ピン止め
準シソーラス用語： 超伝導臨界電流密度

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

引用文献 (34件)：

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• M. Burrard-Lucas, D. G. Free, S. J. Sedlmaier, J. D. Wright, S. J. Cassidy, Y. Hara, A. J. Corkett, T. Lancaster, P. J. Baker, S. J. Blundell, and S. J. Clarke, Nat. Mater. 12, 15 (2013).

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  臨界電流密度 ,  渦 ,  ピン止め ,  メカニズム