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J-GLOBAL ID：201602206527201920   整理番号：16A0445115

配向制御したHfO₂基強誘電体の作製とその強誘電特性評価

著者 (8件)： 舟窪浩 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  片山きりは (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  木口賢紀 (東北大) ,  赤間章裕 (東北大) ,  今野豊彦 (東北大) ,  内田寛 (上智大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.2F29S  発行年： 2016年03月01日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *強誘電体 ,  *基板 ,  ガラス ,  酸化インジウムスズ ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  白金 ,  ケイ素 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *誘電体薄膜 ,  結晶化 ,  *結晶構造 ,  *ヒステリシス ,  誘電分極 ,  制御 ,  配向 ,  ITOガラス ,  YSZ【セラミック】 ,  配向制御 ,  *分極ヒステリシス
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 配向制御 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  作製 ,  強誘電特性 ,  評価