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J-GLOBAL ID：201602207654174220   整理番号：16A0284112

AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明

著者 (8件)： 武井優典 (東京工大) ,  下田智裕 (東京工大) ,  高橋昌靖 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.22A-W541-2  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *形状効果 ,  *表面粗さ ,  接触抵抗 ,  表面改質 ,  改変 ,  機構 ,  キャラクタリゼーション ,  素子構造
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムHEMT ,  表面凹凸 ,  表面改変

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  凹凸 ,  コンタクト抵抗 ,  低減効果 ,  メカニズム